-- DDR3 ALL SPEED @ 1.65V. --

[adna]

ซัมซุง D-die ชิพ2หน้า
สำหรับแรมชิพ D-die ที่เป็นชิพแบบสองหน้าแถวละ 8 กิ๊ก "การโอซีเพื่อใช้งานจริง"
คงจะอยู่แถวๆบัส 3600-3733 แล้วแต่เกรดของแรม คงไปให้ถึงบัส 4000 ยากครับผม
Setting
IO = 1.15v.
SA = 1.15v.
Vram = 1.40v.[~1.40v.-1.45v.]

Samsung Value D-die 2133C15 2x8GB @ 3600-17-19-19-28 1.40v.



ปล.สำหรับการโอซีเพื่อใช้งาน ลองไล่ดูครับ ว่าจุดไหนเหมาะสมสำหรับแรมของเรา
ได้ผลอะไรยังไง มาโพสท์แบ่งปันเพื่อนสมาชิกบ้างนะครับ ผมก็จะลองไปด้วยครับ

[milodanz]

^ ขอบคุณมากๆครับ คุณ ADNA ยังไงผมจะลองปรับค่าดูครับ

[stepcomet]

DDR4 4700 CL 17 17 17 37 1.55v

[leng818]

แน่นเลยครับ ท่าน stepcomet

[stepcomet]

4933CL17ที่ห้องหลังจากเปลี่ยนซิ้งแรมผลที่ได้คือไปไกลขึ้นอย่างเห็นได้ชัดแสดงว่าซิ้งเดิมกากมากก่อนหน้าที่จะเปลี่ยนซิ้ง 4900cl 18 19 19 39 ยังยากผมบอกเลย555+

[oracleritz]

การ memtest โหดๆ หรือที่เรียกว่าเผา ram มีส่วนช่วยมากน้อยแค่ไหนครับ
ใครมีเทคนิคการเบิร์น(แรม) โหดๆ ให้มันวิ่งดีๆ มาแชร์กันครับ

[TWK.]

[LipkiZ]

กดตัวไหนต่อได้บ้างงงง
อันนี้ถามจริงจังนะครับ
ช่วยแนะนำหน่อย

[adna]

^
ผมว่ามันกดมากแล้วนะครับ
กับ TZ3600C16 ถ้าเล่นบัส 3600 ไฟเดิม 1.35v.ผมเล่นได้ประมาณนี้ครับ

[LipkiZ]

sa io 1.25
vram 1.40



h.PNG

[TWK.]

เมพ ขิงๆ

[adna]

ถ้า 1.40v.จะกดได้อีกนิดหน่อยครับ
แรมผมเป็น B-die BCPB pcb.A1 ครับ

[LipkiZ]

ของผม cl ไม่ลงแล้วครับ
เหลือแต่ชุดทามมิ่งนี่แหละ กดได้ แต่กดแล้ว แต่คะแนนแทบไม่ต่าง เลยเอากลับตัวเดิมที่เมมเทส ผ่านแล้ว

[stepcomet]

ของผม cl ไม่ลงแล้วครับ
เหลือแต่ชุดทามมิ่งนี่แหละ กดได้ แต่กดแล้ว แต่คะแนนแทบไม่ต่าง เลยเอากลับตัวเดิมที่เมมเทส ผ่านแล้ว

IOL หลุดครับของท่านมันวิ่งอยู่ 6 14 ทำไมลาเทนซี่เพิ่มขึ้นมากเล่นยังไงก็ได้ให้ IOL ยุ 6 6 มันจะแรงกว่านี้ครับ

[ihog6hog]

ลองของเล่นใหม่ Crucial Ballistix Gaming 3600 16-18-18 1.35V Spec เหมือน Ballistix Elite 3600 C16 ทุกอย่าง แต่วิ่งดีกว่า Elite ซะงั้น

จับวิ่งแล้ววว 4700 18-24-24 1.50V โคตรง่าย