CPU ใช้ไป นานๆจะอืดลงมะ

[lactobazir]

ตามหัวข้อ ตอบหน่อยอยากจะรู้
ใครตอบเดวพาไปเลี้ยง อาบ อบ นวด

[linkinparkjayz]

ถ้าจะอืดก็คงเป็นข้อมูลใน HDD ของคุณนั้นแหละครับ

[tontan]

CPUอืดได้ด้วยรึไงครับ(CPUนะ ไม่ใช่เส้นก๋วยเตี๋ยว) ที่เค้าเคยว่ากันว่า คอมพ์เมื่อใช้ไปนานๆแล้วอืดเป็นเพราะข้อมูลในHDDไม่เกี่ยวไรกับCPUเลย ลองformatแล้วลงใหม่ รับรองเร็วกว่าเดิม

[okazaa]

บ่อืดดอกครับ มีแต่เสื่อมนะ อย่างพวกสนิมเกาะอิยังจังซี่ล่ะคับ

[Yakuzaa]

เค้าคงหมายถึงการเสื่อมของ ทรานซิสเตอร์ใน CPU ล่ะมั้งครับ ว่าจะมีผลกับความเร็วรึเปล่า

[Vertexz]

ไม่อืดครับ พาไปเลี้ยงด้วย ตอบแล้วนะ

[ingkung]

ลอง SSD สิครับ ไม่น่าอืดนะ อิอิ

[ขยะเปียก]

ถ้ามันจะตาย มันตายเลย ไม่เเสดงอาการ

[aon9800GT]

เสื่อม

สมอง

[samosorn]

ผมว่าถ้ามันจะช้าก็เพราะซอฟแวร์ตัวใหม่ออกมาส่วนใหญ่จะกินสเป็กเครื่องยิ่งเกมส์ด้วยแล้วยิ่งใหม่ยิ่งสเป็กสูง(ความเห็นส่วนบุคคลน่ะครับ)

[Cat007]

ตามหัวข้อ ตอบหน่อยอยากจะรู้
ใครตอบเดวพาไปเลี้ยง อาบ อบ นวด

พาท่านที่ตอบไปเลี้ยงด้วยนะครับ อย่าลืม คำพูดก่อนพูดท่านเป็นนายมัน พอพูดไปมันเป็นนายท่านแล้ว การพิมพ์ก็เช่นกัน อย่าเป็นคนเพียงแค่มีลิ้น
ไว้พูดนะครับ ผมแค่ไม่อยากเห็นท่านเป็นคนเลี้ยงเเกะในนี้เท่านั้นเอง

[FulcronZ]

ถ้าอยากรู้จริงนะ ให้ไปลองอ่านดูในเวปนี้ http://spectrum.ieee.org/semiconduct...ansistor-aging
แต่ผมจะแปลเป็นส่วนๆ ให้ละกันเผื่อจะแปลกันไม่ออก

The degradation of their transistors over time leads slowly but surely to decreased switching speeds, and it can even result in outright circuit failures.
ทรานซิสเตอร์มันเสื่อมสภาพลงอย่างช้าๆ ตามเวลาแต่นั่นทำให้ความเร็วในการ switch (มองว่ามันคือ clock speed ก็ได้) ลดลงและอาจรุนแรงถึงขนาดทำให้วงจรเสียหายได้

You generally don't perceive this deterioration because semiconductor companies always play it very safe?they set the clock-speed rating of their microprocessors so conservatively that almost every one of their products will continue to operate flawlessly throughout its intended lifetime.
คุณไม่มีทางรู้ได้ถึงประสิทธิภาพที่ลดลง เพราะบริษัทผู้ผลิตจะ play safe - บริษัทเหล่านี้จะตั้ง clock speed ของ cpu อยู่ในระยะปลอดภัยมากๆ ที่ทำให้สินค้าทุกชิ้นที่ถูกส่งออกไป ทำงานได้อย่างไร้ข้อบกพร่องตลอดช่วงเวลาที่บริษัทคาดหมายเอาไว้

first degenerative mechanism: hot-carrier injection, eventually builds up electric charge within the dielectric layer, increasing the voltage needed to turn the transistor on. As this threshold voltage increases, the transistor switches more and more slowly.
ประเด็นแรกที่ทำให้ประสิทธิภาพลดลงคือ hot-carrier injection (carrier ในที่นี้คือประจุไฟฟ้าที่วิ่งในกระแสไฟฟ้าอย่าง electron หรือ hole) ใน MOSFET ซึ่ง carrier ระหว่างกำลังนำกระแสอยู่เหล่านี้จะวิ่งหลุดเข้าไปในชั้นของฉนวนบางๆ ที่อยู่ระหว่าง Gate และ Channel ของทรานซิสเตอร์ ผลที่ตามมาคือ Voltage ขั้นต่ำที่ใช้ในการ switch ระหว่างการปล่อยกระแสไหลกับห้ามกระแสไหลมันสูงขึ้น (พูดง่ายๆ คือต้องออกแรงมากขึ้น เปลืองไฟอีกต่างหาก) ทำให้ความเร็วมันช้าลงเรื่อยๆ

There's a second mechanism that can also trap charge in the dielectric, and it doesn't require any current to flow between the source and drain. Whenever you apply voltage to the gate, a phenomenon called bias temperature instability can cause a buildup of charge in the dielectric, along with other subtle problems. After that gate voltage is removed, though, some of this effect spontaneously disappears
ประเด็นที่สองคือนอกจาก carrier สามารถหลุดเข้าไปติดระหว่างการใช้งานแล้ว มันยังมีโอกาสหลุดเข้าไปติดได้ เพียงแค่คุณใส่ voltage เข้าไปที่ gate เฉยๆ โดยที่ไม่จำเป็นต้องมีกระแสไฟฟ้าไหลผ่าน channel เหมือนอย่างประเด็นแรก ปัญหานี้ก็สามารถเกิดขึ้นได้เหมือนกัน และเมื่อหยุดใส่ voltage เข้าไป ปัญหานี้ก็จะหายไปบางส่วนทันที

Yet another aging mechanism comes into play when a voltage applied to the gate creates electrically active defects, known as traps, within the dielectric. If they become too numerous, these charge traps can join and form an outright short circuit between the gate and the current channel. This kind of failure is called oxide breakdown.
อีกประเด็นหนึ่งที่เกิดขึ้นเวลาใส่ voltage เข้าไปที่ gate ซึ่งนั่นจะทำให้เกิดข้อบกพร่อง โดย carrier ที่หลุดไปติดอยู่ในชั้นฉนวน ซึ่งถ้ามันมีมากเกินไป พวกมันก็สามารถเชื่อมต่อกันทำให้นำไฟฟ้าได้ ผลคือไฟลัดวงจรระหว่าง gate และ channel ที่เราเรียกปรากฏการณ์นี้กันว่า oxide breakdown ผลคือเจ๊ง!!

Electromigration occurs when a surge of current knocks metal atoms loose and causes them to drift along with the flow of electrons. This depletes the metal of some of its atoms upstream, while causing a buildup of metal downstream. The upstream thinning of the metal increases the resistance of the connection, sometimes to the point that it can become an open circuit. While downstream deposition isn't similarly catastrophic, it can cause the metal to bulge out of its designated track.
Electromigration เกิดขึ้นเมื่อมีกระแสไฟกระชากผลักให้อะตอมของโลหะหลุดออกมาและไหลไปพร้อมกับอิเล็กตรอน นี่ทำให้โลหะสูญเสียอะตอมที่ต้นทาง และไปตกตะกอนที่ปลายทาง ซึ่งที่ต้นทางความต้านทางของโลหะจะสูงขึ้น หรือถ้าเลวร้ายที่สุด ก็จะกลายเป็นวงจรเปิดนั่นเอง ในขณะที่ปลายทาง ผลกระทบของมันไม่ได้เลวร้ายอย่างที่เกิดกับต้นทาง มันจะทำให้รูปร่างของมันบวมขึ้นจากที่ถูกออกแบบไว้

คิดว่าคงจะพอน่าเชื่อถือนะครับ บทความนี้ เผอิญผมเพิ่งอ่านมาเมื่อ 2-3 อาทิตย์ก่อน น่าจะเคลียร์กัน
พอดีผมทำ blog แปลข่าวบทความพวก electronic กับ computer อยู่พอดี เผื่อใครสนใจไปอ่านกันได้นะคับที่
WhipCreme Translated
แต่สำนานของผมใน blog จะแข็งกว่านี้ และแปลค่อนข้างตรงตัวเพื่อพยายามเลี่ยงการบิดเบือนของเนื้อหานะคับ

[PPG-GX2-SC]

เห้ย!!! รอดมาได้ไง ..... อิอิ

[lactobazir]

เพราะผมคือคนดีที่ยังไม่ถูกโลกลืม ไงครับ