สงสัยเรื่องแรม

[kenobi99]

คือผมเห็นแรมมันจะมีค่า CL
ผมอยากรู้ครับว่ามันคืออะไร เช่นบางแรมบอกว่า CL 4-4-4-12
แปลว่าอะไรครับ อธิฺบายทีครับ

[เพ็ญรินทร์]

Timing
Timing คือ ค่าหน่วงเวลาที่ RAM สามารถจะมาจะเริ่มทำใหม่ได้อีกครั้ง
เนื่องจาก RAM ต้องทำงานหลายครั้ง และ เร็ว ดังนั้น Timing คือ เวลาที่ RAM สามารถทำงานได้ใหม่อีกครั้ง


ค่า Timing ของหน่วยความจำ ประกอบไปด้วยค่าพารามิเตอร์มากกว่า 11 ค่า โดยแต่ละค่ามีรายละเอียดดังต่อไปนี้
• CAS Latency Time (tCL) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงเซลล์หน่วยความจำในตำแหน่ง Column จนได้ข้อมูลออกมา
• DRAM RAS to CAS Delay (tRCD) : ค่าเวลาที่ใช้ระหว่างการเข้าถึงตำแหน่งข้อมูลใน Row จนได้ค่าตำแหน่งข้อมูลใน Column ของ Matrix เซลล์หน่วยความจำที่เก็บข้อมูล
• DRAM RAS# Precharge (tRP) : ค่าเวลาที่ใช้ในการ Precharge ให้กับวงจรของหน่วยความจำเพื่อให้ Memory Controller เลือกใช้งาน Row ของหน่วยความจำใหม่อีกครั้ง
• Precharge delay (tRAS) : ค่าเวลาที่ใช้ในการ Precharge
• Bank Cycle Time (tRC) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงหน่วยความจำในแต่ละ Bank
• Refresh Cycle Time (tRFC) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงหน่วยความจำในแต่ละครั้ง
• RAS to RAS Delay (tRRD) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงตำแหน่ง Row ใหม่อีกครั้ง
• Write to Precharge Delay (tWR) : ค่าเวลาที่ใช้ในการ Precharge ให้กับวงจรหน่วยความจำเพื่อเขียนข้อมูล
• Rank Wirte to Read (tWTR) : ค่าเวลาที่ใช้ในช่วงของการอ่าน-เขียนข้อมูล
• Read CAS# Precharge (tWTR) : ค่าเวลาในการ Precharge ให้กับวงจรหน่วยความจำเพื่ออ่านค่าตำแหน่ง column
• Command Rate (1T/2T) : ค่าเวลาในการเลือกใช้โมดูลหน่วยความจำและชิปหน่วยความจำที่ต้องการ

จากที่นี่นะคะ ยิ่งน้อยยิ่งดี
http://forums.overclockzone.com/foru...d.php?t=414734

[kenobi99]

โอ้วความรู้ครับ ขอบคุณมากมาย

[kenobi99]

ว่าแต่มีวิธี วัดค่า CL ไหมครับในกรณีที่ไม่รู็็ว่าเท่าไหร่

[apiwat7]

อ้างอิง:
Timing
Timing คือ ค่าหน่วงเวลาที่ RAM สามารถจะมาจะเริ่มทำใหม่ได้อีกครั้ง
เนื่องจาก RAM ต้องทำงานหลายครั้ง และ เร็ว ดังนั้น Timing คือ เวลาที่ RAM สามารถทำงานได้ใหม่อีกครั้ง


ค่า Timing ของหน่วยความจำ ประกอบไปด้วยค่าพารามิเตอร์มากกว่า 11 ค่า โดยแต่ละค่ามีรายละเอียดดังต่อไปนี้
• CAS Latency Time (tCL) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงเซลล์หน่วยความจำในตำแหน่ง Column จนได้ข้อมูลออกมา
• DRAM RAS to CAS Delay (tRCD) : ค่าเวลาที่ใช้ระหว่างการเข้าถึงตำแหน่งข้อมูลใน Row จนได้ค่าตำแหน่งข้อมูลใน Column ของ Matrix เซลล์หน่วยความจำที่เก็บข้อมูล
• DRAM RAS# Precharge (tRP) : ค่าเวลาที่ใช้ในการ Precharge ให้กับวงจรของหน่วยความจำเพื่อให้ Memory Controller เลือกใช้งาน Row ของหน่วยความจำใหม่อีกครั้ง
• Precharge delay (tRAS) : ค่าเวลาที่ใช้ในการ Precharge
• Bank Cycle Time (tRC) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงหน่วยความจำในแต่ละ Bank
• Refresh Cycle Time (tRFC) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงหน่วยความจำในแต่ละครั้ง
• RAS to RAS Delay (tRRD) : ค่าเวลาที่ใช้ในการเข้าถึงตำแหน่ง Row ใหม่อีกครั้ง
• Write to Precharge Delay (tWR) : ค่าเวลาที่ใช้ในการ Precharge ให้กับวงจรหน่วยความจำเพื่อเขียนข้อมูล
• Rank Wirte to Read (tWTR) : ค่าเวลาที่ใช้ในช่วงของการอ่าน-เขียนข้อมูล
• Read CAS# Precharge (tWTR) : ค่าเวลาในการ Precharge ให้กับวงจรหน่วยความจำเพื่ออ่านค่าตำแหน่ง column
• Command Rate (1T/2T) : ค่าเวลาในการเลือกใช้โมดูลหน่วยความจำและชิปหน่วยความจำที่ต้องการ
จากที่นี่นะคะ ยิ่งน้อยยิ่งดี
http://forums.overclockzone.com/foru...d.php?t=414734
__________________

สวยละยังเก่งด้วยอ่า ความรู้ๆ

[zeezaa]

ขอบคุณครับ เป็นความรู้
ผมไม่เคยดูค่าพวกนี้เลยครับ

[เพ็ญรินทร์]

ถ้าไม่รู้ก็ดูได้จากโปรแกรม CPUz ค่ะ หน้า memory



จากรูปนะคะ จะมีค่า CL คือ 4-4-4-11 ค่าพวกนี้ ยิ่งน้อยยิ่งดีค่ะ
หรือจะดูจากบนตัวแรมเลยก็ได้ค่ะ จะมีเขียนไว้ทั้งความเร็วและค่า CL นะ

[kenobi99]

โอ้ววขอบคุณอีกที กระจ่างครับงานนี้

[นาย...อั๊ยซ์...]

จะว่าไปแล้ว บางครั้ง ไม่จำเป็นต้องน้อยที่สุดน่ะครับ

น้อยไป ก็ใช่ว่าจะดี ..

กด CL ยิ่งน้อยเท่าไหร่ ก็ต้องเล่นไฟให้ได้ตามที่มันต้องการ

ยิ่งร้อน ก็ยิ่งแย่น่ะครับ !!